Driver Transistors PNP Silicon RoHS requirements. The LMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Junction Transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-Lead Surface Mount)  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Pb-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages in audio and RF applications  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.