General Purpose Transistors PNP Silicon The **LBC858BLT1G** is a PNP transistor manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the key specifications, descriptions, and features:  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 250 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-23 (SC-59, TO-236AB)** (3-pin surface-mount package)  

### **Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages in audio and RF applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation from ON Semiconductor.