General Purpose Transistors PNP Silicon The **LBC856BLT1G** is a general-purpose PNP transistor manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -45 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -100 mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110 to 800 (at I_C = -2 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **Package Type:** SOT-23 (SC-59, TO-236)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**
- The **LBC856BLT1G** is a small-signal PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is part of ON Semiconductor's **LBC series** of transistors, optimized for low-power and high-speed performance.  

### **Features:**
- **High Current Gain (h_FE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Low Saturation Voltage:** Suitable for switching applications.  
- **Compact SOT-23 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.