### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel JFET (Junction Field-Effect Transistor)
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** -40V
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** -40V
- **Continuous Drain Current (Id):** -50mA
- **Power Dissipation (Pd):** 350mW
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92 (Through-Hole)

### **Descriptions:**
- The **L9012QLT1** is a high-performance P-Channel JFET designed for low-noise and high-input-impedance applications.
- It is commonly used in analog signal processing, audio amplifiers, and switching circuits.

### **Features:**
- **Low Noise:** Suitable for sensitive signal amplification.
- **High Input Impedance:** Minimizes loading effects in high-impedance circuits.
- **Low Leakage Current:** Ensures stable performance in precision applications.
- **Reliable Performance:** Robust construction for long-term stability.

For detailed datasheets and additional technical information, refer to **LRC (Linear Integrated Systems)** documentation.

### **Specifications:**  
- **Type:** TVS Diode (Transient Voltage Suppressor)  
- **Configuration:** Unidirectional  
- **Voltage - Reverse Standoff (Vr):** 10.7V  
- **Voltage - Breakdown (Vbr):** 11.9V (Min)  
- **Voltage - Clamping (Vc):** 17.9V at 1A  
- **Peak Pulse Current (Ipp):** 1A  
- **Power - Peak Pulse:** 17.9W  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOD-123  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for overvoltage protection in sensitive electronics.  
- Low clamping voltage for effective transient suppression.  
- Fast response time to voltage spikes.  
- RoHS compliant and lead-free.  
- Suitable for applications like consumer electronics, automotive, and industrial systems.  

For exact datasheet details, refer to the official **Littelfuse (LRC)** documentation.