### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Package:** TO-220F  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-voltage switching applications**.  
- **Low on-resistance** for efficient power handling.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching circuits.  
- **Built-in protection diode** for enhanced reliability.  
- Suitable for **power supplies, inverters, and motor control** applications.  

This information is based on SHINDENGEN's official documentation. For exact details, refer to the datasheet.