128M x 8 Bits NAND Flash Memory The K9T1G08U0M is a NAND Flash Memory device manufactured by Samsung. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 1Gb (128MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2KB + 64B (Spare Area)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Supply Voltage:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C (depending on variant)  
- **Package:**  
  - 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles per block  
- **Data Retention:**  
  - 10 years (at 25°C)  

### **Descriptions:**  
- The K9T1G08U0M is a **1Gb (Gigabit) NAND Flash memory** designed for high-density storage applications.  
- It supports **asynchronous operation** with an 8-bit I/O interface for data transfer.  
- The device includes an **on-chip ECC (Error Correction Code)** engine for improved data reliability.  
- It is optimized for **high-speed read and write operations**, making it suitable for embedded systems, digital cameras, USB drives, and other consumer electronics.  

### **Features:**  
- **High Performance:**  
  - Page Read Time: **25μs (max)**  
  - Page Program Time: **200μs (typical)**  
  - Block Erase Time: **2ms (typical)**  
- **Command-Driven Operation:** Supports standard NAND Flash commands (Read, Program, Erase, etc.).  
- **Bad Block Management:** Supports factory-marked and user-managed bad blocks.  
- **Power-On Auto Read:** Automatically loads the first page into the data register on power-up.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: **25mA (typical)**  
  - Standby Current: **100μA (max)**  

This information is based on Samsung's official documentation for the K9T1G08U0M NAND Flash memory.