64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory **Part Number:** K8D6316UTM-YI07  
**Manufacturer:** SAMSUNG  
### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 512Mb  
- **Organization:** 16M x 32  
- **Speed:** 166MHz (6ns)  
- **Voltage:** 2.5V  
- **Package:** 90-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Interface:** Synchronous  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  
### **Descriptions:**  
- Low-power, high-performance DRAM module designed for embedded and mobile applications.  
- Suitable for systems requiring fast data access and efficient power consumption.  
### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-triggered commands and data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Enhances data transfer efficiency.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Reduces power consumption.  
- **Programmable Burst Length:** Supports flexible data handling.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
This part is commonly used in consumer electronics, networking equipment, and industrial applications.