### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed Grade:** TI07 (specific speed rating may vary; check datasheet for exact timing)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) – verify exact variant  

### **Descriptions & Features:**  
- Low-power, high-performance DDR2 memory chip  
- Bidirectional data strobe (DQS) for precise data capture  
- On-Die Termination (ODT) for signal integrity  
- Programmable CAS Latency (3, 4, 5)  
- Auto Refresh and Self Refresh modes  
- 4 internal banks for concurrent operations  
- RoHS compliant  

For exact timing, pinout, and application details, refer to the official SAMSUNG datasheet.