256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM The part **K6X4016T3F-TF55** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K6X4016T3F-TF55  
- **Type:** DDR4 SDRAM  
- **Density:** 4Gb (512MB)  
- **Organization:** 256M x 16  
- **Speed:** 2400 Mbps  
- **Voltage:** 1.2V  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Interface:** DDR4  

### **Descriptions:**  
- The **K6X4016T3F-TF55** is a **4Gb DDR4 SDRAM** chip designed for high-speed, low-power applications.  
- It features a **16-bit prefetch architecture** and supports **auto-refresh and self-refresh** modes.  
- It is commonly used in **computing, networking, and embedded systems** requiring DDR4 memory.  

### **Features:**  
- **DDR4-2400** speed grade  
- **Low power consumption** (1.2V operation)  
- **On-Die Termination (ODT)** for signal integrity  
- **Programmable CAS Latency (CL)**  
- **Burst Length (BL):** 8 (fixed)  
- **Bank Groups:** 4 for improved efficiency  
- **Data Mask (DM)** for write operations  
- **VDD/VDDQ = 1.2V ± 0.06V**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.