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K6X4008C1F-MF55 from SAMSUNG

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K6X4008C1F-MF55

Manufacturer: SAMSUNG

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K6X4008C1F-MF55,K6X4008C1FMF55 SAMSUNG 15000 In Stock

Description and Introduction

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM **Part Number:** K6X4008C1F-MF55  
**Manufacturer:** SAMSUNG  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 55ns (access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 4K refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read operations.  
- **Auto & Self Refresh:** Includes both auto-refresh and self-refresh modes.  
- **Programmable CAS Latency:** Supports CAS latencies of 2 or 3.  
- **Single +2.5V Power Supply:** Compatible with low-voltage systems.  
- **On-Die Termination (ODT):** Enhances signal integrity.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This part is commonly used in networking equipment, embedded systems, and consumer electronics requiring reliable DDR memory.

Application Scenarios & Design Considerations

512Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM # Technical Documentation: K6X4008C1FMF55 Memory IC

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component Type : DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
 Part Number : K6X4008C1FMF55  
 Revision : 1.0  
 Date : October 2023  

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K6X4008C1FMF55 is a 512Mb (64Mx8) DDR SDRAM device optimized for applications requiring moderate-speed data transfer with reliable performance. Typical implementations include:

-  Embedded Memory Subsystems : Serving as main working memory in microcontroller-based systems requiring 8-bit data bus configurations
-  Data Buffering Applications : Temporary storage in communication interfaces, image processing pipelines, and data acquisition systems
-  Industrial Control Systems : Program and data storage in PLCs, HMIs, and automation controllers where consistent performance under varying temperatures is critical

### 1.2 Industry Applications

#### Consumer Electronics
-  Set-Top Boxes : Buffer memory for video decoding and channel switching
-  Printers/Scanners : Page buffer memory and image processing workspace
-  Gaming Consoles : Supplemental memory for game save functions and system operations

#### Industrial & Automotive
-  Industrial PCs : Main memory for single-board computers in manufacturing environments
-  Automotive Infotainment : Non-critical display buffer and system memory
-  Medical Devices : Data logging and temporary storage in diagnostic equipment (where non-volatile storage isn't required)

#### Telecommunications
-  Network Switches/Routers : Packet buffering in entry-level networking equipment
-  Baseband Processing : Temporary storage in wireless communication modules

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Cost-Effective Solution : Lower price point compared to newer DDR2/DDR3 technologies for applications with moderate bandwidth requirements
-  Power Efficiency : Operating voltage of 2.5V±0.2V provides reasonable power consumption for embedded applications
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range support (-40°C to +85°C) enables reliable operation in harsh environments
-  Proven Technology : Mature manufacturing process ensures high reliability and stable supply

#### Limitations:
-  Bandwidth Constraints : Maximum 400Mb/s/pin data rate limits suitability for high-performance computing applications
-  Density Limitations : 512Mb density may be insufficient for memory-intensive modern applications
-  Legacy Interface : DDR1 technology is being phased out in favor of newer standards in many applications
-  Refresh Requirements : Typical SDRAM refresh overhead (64ms refresh interval) affects available bandwidth

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Signal Integrity Issues
 Problem : Ringing and overshoot on data lines due to improper termination  
 Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) close to the memory controller, with careful attention to transmission line characteristics

 Problem : Clock jitter affecting setup/hold times  
 Solution : Use dedicated clock routing layers, maintain constant impedance, and implement proper clock tree termination

#### Power Distribution
 Problem : Voltage droop during simultaneous switching outputs (SSO)  
 Solution : Implement dedicated power planes for VDD/VDDQ, use multiple vias for power connections, and place decoupling capacitors (0.1μF ceramic) within 5mm of each power pin

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

#### Voltage Level Compatibility
-  Controller Interface : Ensure memory controller supports 2.5V SSTL_2 I/O standards
-  Mixed Voltage Systems : When interfacing with 3.3V or 1.8V logic, use level shifters or select controllers with programmable

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