### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K6X0808C1D-RF55  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 8Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 1G x 8 (1 Gigabit x 8 bits)  
- **Voltage:** 1.35V (Low Voltage DDR3L)  
- **Speed:** 1866 Mbps (DDR3L-1866)  
- **Interface:** DDR3L SDRAM  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications with 1.35V operation.  
- **High-Speed Performance:** Supports data rates up to 1866 Mbps.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity in high-speed applications.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and industrial electronics.  

For exact datasheet details, refer to Samsung's official documentation.