Parallel NOR Flash Embedded Memory The **JS28F256M29EWHB** is a NAND Flash Memory component manufactured by **Intel**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 256Mbit (32MB)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2KB + 64B spare  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Voltage Supply:**  
  - VCC (Core): 2.7V - 3.6V  
  - VCCQ (I/O): 1.7V - 1.95V  
- **Speed:**  
  - Page Read Time: 25µs (typical)  
  - Page Program Time: 300µs (typical)  
  - Block Erase Time: 1.5ms (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The **JS28F256M29EWHB** is a **3V NAND Flash memory** device designed for embedded applications requiring high-density, non-volatile storage.  
- It supports **asynchronous operation** and features **on-chip error correction (ECC)** for improved data reliability.  
- Suitable for **industrial, automotive, and consumer electronics** applications.  

### **Features:**  
- **High-Performance NAND Flash:** Fast read, program, and erase operations.  
- **Reliable Data Storage:** Built-in ECC (Error Correction Code) for enhanced data integrity.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Industrial-Grade:** Supports extended temperature ranges for harsh environments.  
- **Compatibility:** Asynchronous interface for easy integration with microcontrollers.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.