High Current MegaMOSTM FET The IXTK80N25 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 500W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IXTK80N25 is an N-channel power MOSFET designed for high-current and high-voltage applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- The device is suitable for power supplies, motor control, and other high-power switching applications.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed.  
- Robust and reliable for industrial applications.  
- TO-264 package for efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.