HiPerFAST IGBT The **IXGH39N60BD1** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXGH39N60BD1  
- **Transistor Type:** N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 400ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **IXGH39N60BD1** is a high-power **N-Channel IGBT** designed for switching applications requiring high voltage and current handling.  
- It is optimized for **low conduction losses** and **fast switching speeds**, making it suitable for **motor drives, inverters, and power supplies**.  
- The device features a **rugged construction** for reliable performance in demanding industrial environments.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))**  
- **Fast switching performance**  
- **High current handling (75A @ 25°C, 39A @ 100°C)**  
- **Robust TO-247 package for efficient thermal management**  
- **Designed for high-efficiency power conversion**  

This information is strictly based on factual data from the manufacturer's specifications.