PolarHV HiPerFET Power MOSFETs The IXFT140N10P is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 830W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 200nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IXFT140N10P is an N-channel power MOSFET designed for high-current and high-power applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 140A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Thermal Performance:** High power dissipation capability.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient heat dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to the official IXYS documentation.