HiPerFET Power MOSFETs Q-Class The IXFH80N20Q is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFH80N20Q  
- **Device Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 80A (continuous)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 500W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IXFH80N20Q is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-power applications  
- TO-247 package for efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.