HIPERFET Power MOSFTETs The IXFH35N30 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 17.5A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFH35N30 is a high-power N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports up to 35A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced reliability under inductive loads.  
- **TO-247 Package:** Robust thermal performance for high-power dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.