Primary Side Switch in Bridge Topology The IRF7853TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Part Number:**  
IRF7853TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
PQFN 5x6mm (Power QFN)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and automotive systems  
- Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-current, low-voltage applications requiring efficient power handling.