Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPW60R070C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 30 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 70 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- Optimized for **switching power supplies, PFC (Power Factor Correction), and motor drives**.  
- Part of Infineon’s **CoolMOS™ C6 series**, offering low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **High avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Low gate charge (Q_G)** for efficient driving.  
- **Pb-free and RoHS-compliant** packaging.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and technical documentation.