600V CoolMOS E6 Power Transistor The **IPP60R600E6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Technology:** CoolMOS™ E6  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.6 Ω (at V_GS = 10 V, I_D = 3 A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power conversion** in applications such as **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial systems**.  
- Part of Infineon’s **CoolMOS™ E6 series**, optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Features **fast switching performance** and **high avalanche ruggedness**.  

### **Features:**
- **Superjunction technology** for reduced switching losses.  
- **Low gate charge (Q_g)** for improved efficiency.  
- **High dv/dt capability** for robust performance.  
- **Avalanche rated** for reliability in harsh conditions.  
- **RoHS compliant** and **halogen-free**.  

This information is based strictly on Infineon’s official datasheet for the **IPP60R600E6**.