OptiMOS?2 Power-Transistor The IPP04N03LB is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness for inductive loads.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching applications.  

*(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise details.)*