CoolMOSTM Power Transistor The **IPB60R125CP** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB60R125CP  
- **Technology:** CoolMOS™ C7 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650 V  
- **Current Rating (I_D):** 20 A (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 125 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB60R125CP** is a high-voltage **Superjunction MOSFET** designed for **high-efficiency switching applications**.  
- It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C7** family, optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), PFC (Power Factor Correction), and motor control** applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency operation.  
- **High avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Optimized gate charge (Q_G)** for better efficiency.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.