CoolMos Power Transistor The **IPA50R520CP** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA50R520CP  
- **Technology:** CoolMOS™ CP  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.5 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 22 A  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 520 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 580 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 45 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 6 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The **IPA50R520CP** is a **500V N-Channel CoolMOS™ CP power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-state resistance (RDS(on))**, **fast switching performance**, and **high ruggedness**, making it suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **CoolMOS™ CP technology** for optimized efficiency  
- **Low gate charge (Qg)** for reduced switching losses  
- **High dv/dt capability** for robust performance  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low thermal resistance** for improved heat dissipation  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is sourced directly from Infineon's official documentation.