OptiMOSTM3 Power-Transistor The **IPA030N10N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA030N10N3G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80 pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **IPA030N10N3G** is a high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (30 A continuous, 120 A pulsed).  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Robust thermal performance** with a TO-220 package.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for high-efficiency applications** in industrial and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPA030N10N3G.