DEVICE SPECIPICATION FOR OPTICAL DATA COMMUNICATION TRANSCEIVER The part GP2W1001YP is manufactured by SHARP. It is a reflective photosensor that combines an infrared emitting diode (IRED) and a phototransistor in a compact package. 

Key specifications:
- Emitter type: Infrared emitting diode (IRED)
- Detector type: Phototransistor
- Wavelength: 940 nm (typical)
- Operating temperature range: -25°C to +85°C
- Supply voltage: 5V (max)
- Collector current: 20 mA (max)
- Package type: Leaded, through-hole
- Dimensions: 4.5 mm x 4.5 mm x 3.5 mm

The device is commonly used for object detection, position sensing, and similar applications where reflective sensing is required. The output from the phototransistor varies based on the amount of reflected infrared light received.

DEVICE SPECIPICATION FOR OPTICAL DATA COMMUNICATION TRANSCEIVER The part GP2W1001YP is manufactured by Sharp. It is a reflective photointerrupter that consists of an infrared emitting diode and a phototransistor. Key specifications include:

- **Operating Temperature Range**: -25°C to +85°C  
- **Storage Temperature Range**: -30°C to +85°C  
- **Forward Current (IF)**: 50 mA (max)  
- **Reverse Voltage (VR)**: 5 V (max)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO)**: 5 V (max)  
- **Collector Current (IC)**: 20 mA (max)  
- **Power Dissipation (PD)**: 75 mW (max)  
- **Output Configuration**: Phototransistor  
- **Package Type**: Through-Hole  

The device is commonly used for object detection and position sensing applications.  

(Source: Sharp datasheet for GP2W1001YP)