FDS6814 ,Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET ..
FDS6875 ,Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFETFeatures P -Channel 2.5V specified MOSFETs are Ω @ V)GSR Ω @ V.produced using Fairchild Semi ..
FDS6875_NL ,Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETapplications:DS(ON)for extremely low trench technologyHigh performance charge for superior switchin ..
FDS6875_NL. ,Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETFeatures P -Channel 2.5V specified MOSFETs are Ω @ V)GSR Ω @ V.produced using Fairchild Semi ..
FDS6890A ,Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFETFeaturesThese N-Channel 2.5V specified MOSFETs are• 7.5 A, 20 V. R = 0.018 Ω @ V = 4.5 VDS(ON) GSp ..
FDS6890A_NL ,Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETApplicationslow R .DS(ON) DC/DC converter High power and current handling capability. Motor driv ..
FQPF15P12 ,120V P-Channel QFETapplications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motorcontro ..
FQPF16N25C ,250V N-Channel Advance Q-FET C-SeriesFQP16N25C/FQPF16N25C®QFETFQP16N25C/FQPF16N25C250V N-Channel MOSFET
FQPF17P06 ,60V P-Channel MOSFETFQPF17P06May 2001TMQFETFQPF17P0660V P-Channel MOSFET
FQPF17P10 ,100V P-Channel MOSFETapplications such as audio amplifier,high efficiency switching DC/DC converters, and DC motorcontro ..
FQPF18N20V2 ,200V N-Channel MOSFETapplications such as automotive, highefficiency switching for DC/DC converters, and DC motorcontrol ..
FQPF18N50V2 ,500V N-Channel MOSFETFQP18N50V2/FQPF18N50V2TMQFETFQP18N50V2/FQPF18N50V2500V N-Channel MOSFET
FDS6814
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
������� ��������� ������������������� ������� �� ����������������������������������������� ������� ������������������� �������� *��!��+,-�����&������!"���$����./0 1*!�����"������� �������������� � ���������Ω ��� �������� ������ �� �!������������������2��!�����$� ������&�3!���2����� � ���������Ω ��� �������� �� 4����*����� �"����!!���5����!�)�����"��%�6���$�� ������ �� "�����%�����%�����""&�������!���������7����������� � ���������������������±����� �������$���������2��2�&����� � ���������������� ������������ � �!��!���������!"���� � ����2�&�����8-98-�-��2�����! ���#����"��$��%������������������&��’�$����(���%�&’ � �����!����� ����&���� � ������ � :�����’�"��������� � #����"���������������������&������"�)�&��’� � 4�����%�����%��� D2 5 4 D2 D1 6 3 D1 7 2 G2 S2 G1 8 1 SO-8 S1 o Absolute Maximum Ratings T =25 C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage 20 V DSS VGSS Gate-Source Voltage ±12 V I Drain Current - Continuous (Note 1a) 8A D - Pulsed 50 PD Power Dissipation for Dual Operation 2.0 W Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 1.6 (Note 1b) 1.0 (Note 1c) 0.9 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 J stg °C Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 78 R °C/W JA θ R Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 40 °C/W JC θ Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity FDS6814 FDS6814 13’’ 12mm 2500 units ��������������� ����������������������������������������
