PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR　 The part F2002 is manufactured by POLYFET. Below are the specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
3. **Current Rating (ID)**: 20A  
4. **Power Dissipation (PD)**: 50W  
5. **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
6. **On-Resistance (RDS(on))**: 0.055Ω (max) at VGS = 10V  
7. **Gate Charge (Qg)**: 18nC (typical)  
8. **Package**: TO-220  

These are the key specifications for the POLYFET F2002 MOSFET. Let me know if you need further details.