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F12NK60Z ST|ST Microelectronics N/a 1140 N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET



F12NM50N ST
F12NM60N ST
F12X523
F12ZP52VX3-4072
F130
F13007-H2 SEMIWLL
F1302 IR
F1306M S
F1310NS IR
F13150-P20 CY
F132
F1321 TOSHIBA
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F133
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F138D MOT
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F13NK50Z ST
F13NM50N ST
F13NM60N ST
F14016KY IBM
F1404 IR
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F1405ZL IR
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F143D57 LA
F1440469-24.0000MHZ ELMITECH
F145
F148 MOT
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F14TES LT
F14TES LINEAR
F14TES AE04 LINEAR
F14X150S FAI
F15 , LEADED (THRU-HOLE): High Voltage Fast Recovery & Short Protection Rectifiers
F15 N/A, LEADED (THRU-HOLE): High Voltage Fast Recovery & Short Protection Rectifiers
F150
F1500M TOKIMEC
F15030 N/A
F1504 NXP
F1509S-1W MORNSUN
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F15N05L HARRIS
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F15NM60N ST
F15NM60ND ST
F15SC4 SHINDENG
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F15U20DN FAIRCHILD
F15U20S FAIRCHIL
F16.000MHZ
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F1-80C154-L16 MHS
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F1814B TOHI
F12NK60Z , N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET
F1814D ,TECHNIK - HIGH RELIABILITY FOR LOW COST
F1B2CCI , STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
F1T3G , 1.0 AMP. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
F1T3G , 1.0 AMP. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
FDFMA2P857 ,-20V Integrated P-Channel PowerTrench?MOSFET and Schottky DiodeElectrical Characteristics T = 25°C unless otherwise notedJSymbol Parameter Test Conditions Min Typ ..
FDFMA3N109 ,30V Integrated N-Channel PowerTrench甅OSFET and Schottky DiodeElectrical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted ASymbol Parameter Test Conditions MinTyp ..
FDFS2P102 ,Integrated P-Channel MOSFET and Schottky DiodeFeaturesThe FDFS2P102 combines the exceptional performance of –3.3 A, –20 V. R = 0.125 Ω @ V = –10 ..
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