Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 47 k The DTA123JET1G is a digital transistor (resistor-equipped transistor) manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Digital Transistor (Built-in Biasing Resistors)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Total Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 56 (min) to 112 (max) at IC = -2mA, VCE = -5V
- **Resistor Values**:  
  - Base Resistor (R1): 10kΩ  
  - Base-Emitter Resistor (R2): 10kΩ
- **Package**: SOT-416 (SC-75) Surface Mount
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This device is designed for switching applications and includes integrated bias resistors for simplified circuit design.