Digital Transistors (BRT) R1 = 100 k, R2 = 100 k The **DTA115EET1G** is a digital transistor (resistor-equipped transistor) manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Digital Transistor (Built-in Biasing Resistors)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector Current (IC):** -100mA  
- **Base-Emitter Voltage (VBE):** -5V  
- **DC Current Gain (hFE):** 82 to 390 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Built-in Resistors:**  
  - R1 (Base Resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Package:** SOT-416 (SC-75)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Load switching  
- Inverter circuits  
- Interface circuits  
- Driver circuits  

This transistor is designed for compact, space-saving applications due to its small SOT-416 package.  

(Source: ON Semiconductor Datasheet for DTA115EET1G)