Switching Diode The part **DAN202UT106** is manufactured by **ROHM**.  

Key specifications:  
- **Type**: Dual N-channel MOSFET  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 20A  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 10.6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min) - 2.5V (max)  

Applications include power switching in DC-DC converters, motor drivers, and other high-efficiency circuits.  

For exact details, refer to the official **ROHM datasheet**.

Switching Diode The **DAN202UT106** is a high-performance electronic component designed for precision applications in modern circuitry. As a specialized device, it offers reliable performance in various electronic systems, ensuring stability and efficiency in demanding environments.  

This component is commonly utilized in power management, signal conditioning, and control circuits, where accuracy and durability are critical. Its compact design and robust construction make it suitable for integration into both industrial and consumer electronics. Engineers and designers favor the **DAN202UT106** for its consistent operation under varying electrical conditions, contributing to enhanced system longevity.  

Key features include low power consumption, high thermal resistance, and excellent signal integrity, making it an ideal choice for applications requiring minimal energy loss and optimal performance. Whether used in automation, telecommunications, or embedded systems, this component delivers dependable functionality while adhering to industry standards.  

The **DAN202UT106** exemplifies modern electronic innovation, providing a balance of efficiency and reliability for advanced circuit designs. Its versatility ensures compatibility with a wide range of electronic architectures, reinforcing its role as a fundamental building block in contemporary electronics.