NPN Silicon Germanium RF Transistor The **BFP640H6327** is a **Silicon Germanium (SiGe) RF Transistor** manufactured by **Infineon Technologies**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN RF Transistor  
- **Package:** SOT343 (SC-70)  
- **Frequency Range:** Up to **12 GHz**  
- **Applications:** Low-noise amplifiers (LNAs), RF/microwave circuits  
- **Gain (S21):** ~**16 dB** at 2 GHz  
- **Noise Figure (NF):** ~**0.7 dB** at 2 GHz  
- **Collector Current (Ic):** **15 mA** (typical)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce):** **3 V**  
- **Power Dissipation (Pd):** **150 mW**  

### **Electrical Characteristics (Typical @ 2 GHz, Vce=2V, Ic=15mA):**  
- **S-Parameters:**  
  - S11: -15 dB  
  - S22: -20 dB  
  - S12: -30 dB  
- **OIP3 (Output Third-Order Intercept Point):** **20 dBm**  

This transistor is optimized for **low-noise, high-gain RF applications** in wireless communication systems.  

(Source: Infineon datasheet for BFP640H6327)