NPN Silicon RF Transistor The **BFP420E6327** is a **NPN RF Transistor** manufactured by **SIEMENS (Infineon Technologies)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon RF Transistor  
- **Package:** SOT-343 (SC-70)  
- **Frequency Range:** Up to **6 GHz**  
- **Collector Current (Ic):** 30 mA  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce):** 12 V  
- **Power Dissipation (Ptot):** 150 mW  
- **Gain (hFE):** 30 (typical at 2 GHz)  
- **Noise Figure:** Low noise performance  
- **Applications:** RF amplification in wireless communication (e.g., mobile, WLAN, GPS)  

### **Electrical Characteristics (Typical):**  
- **Transition Frequency (fT):** 25 GHz  
- **Output Power:** ~10 dBm at 1.8 GHz  
- **S-Parameters:** Optimized for RF matching  

This transistor is designed for **low-noise, high-frequency amplification** in compact circuits.  

(Source: Infineon/Siemens datasheet)

NPN Silicon RF Transistor The **BFP420E6327** is a **NPN RF Transistor** manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor
- **Package**: SOT-343 (SC-70)
- **Frequency Range**: Up to **6 GHz**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: **12 V**
- **Collector Current (I_C)**: **30 mA**
- **Power Dissipation (P_tot)**: **150 mW**
- **Gain (h_FE)**: **40 - 80**
- **Noise Figure**: **1.5 dB (typical at 2 GHz)**
- **Transition Frequency (f_T)**: **25 GHz**
- **Applications**: RF amplification in wireless communication, GPS, and other high-frequency circuits.

This transistor is designed for **low-noise, high-frequency amplification** in small-signal applications.