NPN Silicon RF Transistor (Common emitter IF/RF amplifier Low feedback capacitance due to shield diffusion) The BF599 is a transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:

1. **Type**: NPN Silicon Transistor  
2. **Application**: Designed for RF and VHF amplifier applications.  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 20V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: 50mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 1.2GHz  
9. **Noise Figure**: Typically low, suitable for high-frequency amplification.  
10. **Package**: TO-72 metal can package.  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BF599 transistor.