MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE The BCR8PM is a semiconductor device manufactured by MIT (Mitsubishi Electric). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar PNP transistor  
2. **Package**: TO-220F (fully molded)  
3. **Applications**: Low-frequency power amplification, switching  
4. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
5. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V  
6. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
7. **Collector Current (IC)**: -8A  
8. **Base Current (IB)**: -4A  
9. **Total Power Dissipation (PT)**: 30W (at 25°C)  
10. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
11. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  
12. **DC Current Gain (hFE)**: 1000 (min) at VCE = -5V, IC = -4A  
13. **Turn-On Time (ton)**: 0.5µs (typical)  
14. **Turn-Off Time (toff)**: 1.5µs (typical)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed operating conditions and test circuits, refer to the official MIT documentation.