NPN Silicon Epitaxial Transistor The BCP68T1G is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Transistor Type**: NPN  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 32 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 32 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V  
- **Collector Current (I_C)**: 1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 250 (at I_C = 100 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in switching and amplification applications.

NPN Silicon Epitaxial Transistor The BCP68T1G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Package**: SOT-223  

These are the factual specifications provided in the manufacturer's datasheet.