PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT The BCP53-10T1G is a PNP transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.