General Purpose Transistors The BC856BWT1G is a PNP transistor manufactured by ON Semiconductor (ON/LRC). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -65V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 200mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200-450 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BC856BWT1G transistor from ON Semiconductor.