Silicon Schottky Diodes The **BAT64-04E6327** from Infineon is a high-performance Schottky barrier diode designed for applications requiring low forward voltage drop and fast switching speeds. This surface-mount component is part of Infineon’s advanced diode portfolio, offering reliable performance in compact designs.  

Featuring a dual common-cathode configuration, the BAT64-04E6327 is optimized for high-frequency rectification, signal demodulation, and clamping circuits. Its Schottky technology ensures minimal power loss, making it suitable for energy-efficient applications. With a low forward voltage of typically 0.35V at 0.1A, it enhances system efficiency while maintaining robust thermal characteristics.  

The diode operates within a reverse voltage range of up to 40V, with a maximum forward current of 0.4A. Its small SOT-23 package allows for space-saving PCB layouts, ideal for modern electronic devices where size and performance are critical. Additionally, the BAT64-04E6327 exhibits excellent high-frequency response, making it a preferred choice for RF and microwave applications.  

Engineers and designers can rely on this component for consistent performance in demanding environments, including telecommunications, power management, and portable electronics. Its combination of efficiency, speed, and compact form factor makes it a versatile solution for various circuit designs.