On Technology Corporation - SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The part B1100 is a transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 400mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 82–390 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided by TOSHIBA for the B1100 transistor.

On Technology Corporation - SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS The part B1100 is manufactured by DIODES. Here are the specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)**: 100V
- **Current - Average Rectified (Io)**: 1A
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If**: 0.85V @ 1A
- **Speed**: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- **Operating Temperature**: -65°C to +125°C
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Package / Case**: SOD-123

These are the factual specifications for the B1100 diode as provided by DIODES.