Matched to Level One’s ICs SK70704/06 and SK70721/25 The part B1013 is a PNP transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W (at Ta=25°C)  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE=-5V, IC=-500mA)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (min)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the B1013 transistor.

Matched to Level One’s ICs SK70704/06 and SK70721/25 The part B1013 manufactured by Sanyo is a PNP transistor. Here are its specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (PTOT)**: 1W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60–320 (at IC = 0.5A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (at IC = 0.1A, VCE = -5V)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.