ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE # Introduction to the APT30D60BG Power MOSFET  

The APT30D60BG is a high-performance power MOSFET designed for demanding switching applications. Manufactured using advanced trench technology, this component offers low on-state resistance (RDS(on)) and high-speed switching capabilities, making it suitable for power conversion, motor control, and industrial applications.  

With a voltage rating of 600V and a continuous drain current of 30A, the APT30D60BG provides robust performance in high-power circuits. Its low gate charge and fast switching characteristics contribute to improved efficiency, reducing power losses in high-frequency operations. The device also features an intrinsic body diode, enhancing its reliability in inductive load conditions.  

Packaged in a TO-247 form factor, the APT30D60BG ensures efficient thermal dissipation, allowing for stable operation under high-temperature conditions. Its rugged design and high avalanche energy rating make it a dependable choice for harsh environments.  

Engineers and designers often select the APT30D60BG for applications such as switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and uninterruptible power supplies (UPS) due to its balance of efficiency, durability, and performance. Its technical specifications make it a versatile component in modern power electronics.

ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE The **APT30D60BG** is a power MOSFET manufactured by **Microsemi**. Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (typical)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** Advanced Power Technology (APT)  
- **Application:** High-power switching, motor control, inverters  

This MOSFET is designed for high-efficiency and rugged performance in demanding power electronics applications.