ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES Here are the factual specifications for the **APT2X61D100J** manufactured by **Microsemi**:

- **Manufacturer**: Microsemi  
- **Part Number**: APT2X61D100J  
- **Type**: Dual IGBT Module  
- **Voltage Rating**: 1000V  
- **Current Rating**: 61A  
- **Configuration**: Dual (2 IGBTs in one module)  
- **Package**: Module  
- **Technology**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Applications**: Power switching, motor drives, inverters  

For detailed datasheets or additional specifications, refer to official Microsemi documentation.

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES The APT2X61D100J is a power MOSFET module manufactured by Advanced Power Technology (APT). Here are its key specifications:

- **Type**: Dual N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS)**: 100V
- **Current Rating (ID)**: 61A per channel (at 25°C)
- **Power Dissipation (PD)**: 300W per channel (at 25°C)
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.028Ω (typical per channel at VGS = 10V)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V (max)
- **Package**: TO-247 (isolated mounting)
- **Applications**: High-power switching, motor drives, inverters.

This module is designed for high-performance power applications.