Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode The part AO4906L is manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). It is a dual N-channel MOSFET with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.5A per channel  
- **RDS(ON) (Max) at VGS=10V:** 28mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** SOIC-8  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet from AOS.

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode The part AO4906L is manufactured by AOSMD (Alpha & Omega Semiconductor). Here are its specifications:

- **Type**: Dual N-Channel MOSFET
- **Voltage (Vds)**: 30V
- **Current (Id)**: 6.8A per channel
- **Rds(on)**: 28mΩ (max) at Vgs=10V
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th))**: 1V (min), 2.5V (max)
- **Power Dissipation (Pd)**: 2W (per channel)
- **Package**: SOIC-8
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Power management, load switching, DC-DC conversion. 

For exact details, refer to the official datasheet from AOSMD.