Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor The AO4603 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Alpha and Omega Semiconductor (AOS). Here are its key specifications:  

- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
    - N-channel: 30V  
    - P-channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-channel: 6.3A  
  - P-channel: -5.1A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-channel: 28mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-channel: 55mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-channel: 1V (typical)  
  - P-channel: -1V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SOIC-8  

These specifications are based on AOS datasheets and technical documentation.

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor The AO4603 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by AOSMD (Alpha & Omega Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Configuration**: Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Voltage Ratings**:  
  - **VDS (Drain-Source Voltage)**:  
    - N-Channel: 30V  
    - P-Channel: -30V  
- **Current Ratings**:  
  - **ID (Continuous Drain Current)**:  
    - N-Channel: 6.3A  
    - P-Channel: -5.3A  
- **RDS(ON) (Drain-Source On-Resistance)**:  
  - N-Channel: 28mΩ @ VGS = 10V  
  - P-Channel: 60mΩ @ VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**:  
  - N-Channel: 1V (min), 2.5V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Package**: SOIC-8  

This information is based on AOSMD's datasheet for the AO4603. For precise details, refer to the official documentation.