2STC5949Manufacturer: ST High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| 2STC5949 | ST | 14 | In Stock |
Description and Introduction
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor The part number 2STC5949 is manufactured by STMicroelectronics. It is a high-voltage, fast-switching NPN power transistor designed for use in applications such as switching regulators, DC-DC converters, and motor control. The transistor features a collector-emitter voltage (V_CEO) of 400V, a collector current (I_C) of 15A, and a power dissipation (P_tot) of 150W. It has a typical DC current gain (h_FE) ranging from 15 to 60, depending on the operating conditions. The device is packaged in a TO-220 package, which is suitable for through-hole mounting. The 2STC5949 is designed to operate over a temperature range of -65°C to 150°C.
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips