Silicon N-Channel MOS FET The part number 2SK973 is a MOSFET transistor manufactured by HITACHI. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SK973 MOSFET and are subject to variations based on operating conditions. Always refer to the official datasheet for precise details.

Silicon N-Channel MOS FET The part number 2SK973 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK973:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.