SILICON N CHANNEL MOS FET The 2SK408 is a power MOSFET manufactured by Hitachi (HIT). Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

SILICON N CHANNEL MOS FET The 2SK408 is a N-channel MOSFET manufactured by Mitsubishi Electric (MIT). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.5Ω (typical)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet.