2SK3673-01MRManufacturer: FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| 2SK3673-01MR,2SK367301MR | FUJI | 46 | In Stock |
Description and Introduction
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET The **2SK3673-01MR** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is well-suited for power supply circuits, motor control, and DC-DC converters, where energy efficiency and thermal performance are critical.  
With a robust voltage and current rating, the 2SK3673-01MR ensures reliable operation in demanding environments. Its compact surface-mount package (TO-252) makes it an ideal choice for space-constrained designs while maintaining excellent heat dissipation properties. Engineers often favor this MOSFET for its ability to minimize conduction losses, contributing to improved system efficiency.   Key features include a low threshold voltage, fast switching response, and strong avalanche energy resistance, making it a dependable choice for both industrial and consumer electronics. Whether used in switching regulators or load drivers, the 2SK3673-01MR delivers consistent performance with minimal power dissipation.   For designers seeking a balance between cost-effectiveness and high-power handling, this MOSFET presents a practical solution. Its specifications and reliability make it a versatile component in modern power electronics. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips