Silicon P Channel MOS FET The **2SJ530STL-E** is a high-performance P-channel MOSFET designed for a variety of power management applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is well-suited for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of -30V and a continuous drain current (I_D) of -50A, the 2SJ530STL-E offers efficient power handling while minimizing conduction losses. Its low threshold voltage ensures compatibility with modern low-voltage control circuits, making it ideal for energy-efficient designs.  

The MOSFET features a compact and robust package, ensuring reliable thermal performance even under demanding conditions. Additionally, its fast switching characteristics contribute to reduced switching losses, enhancing overall system efficiency.  

Engineers and designers often select the 2SJ530STL-E for applications requiring high power density and precise control, such as battery management systems, industrial automation, and automotive electronics. Its combination of performance, durability, and efficiency makes it a versatile choice for modern electronic designs.  

For detailed specifications and application guidelines, refer to the manufacturer’s datasheet to ensure optimal integration into your circuit design.

Silicon P Channel MOS FET The 2SJ530STL-E is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -30A
- **Power Dissipation (Pd):** 2.5W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 12mΩ (typical) at Vgs = -10V, Id = -15A
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** SOP-8

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching, such as power management and DC-DC converters.